추천 그룹에 게시된 게시물입니다.
2011 IEEE Journal of Solid-State Circuits 논문 게재

이명진 저자의 논문 「A Sensing Noise Compensation Bit Line Sense Amplifier for Low Voltage Applications」이 2011년 발간된 IEEE Journal of Solid-State Circuits 제46권 제3호(pp. 690-694)에 게재됐다.

아래에서 그룹 및 게시물을 확인하세요.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

이명진 저자의 논문 「A Sensing Noise Compensation Bit Line Sense Amplifier for Low Voltage Applications」이 2011년 발간된 IEEE Journal of Solid-State Circuits 제46권 제3호(pp. 690-694)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.
이명진 저자의 논문 「Selective negative word line scheme for improving refresh」이 2011년 발간된 Electronics Letters 제47권 제3호에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

이명진 저자의 논문 「A mechanism for asymmetric data writing failure」이 2011년 발간된 Solid-State Electronics 제56권 제1호(pp. 211-213)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

이명진 저자의 논문 「A Mechanism for Dependence of Refresh Time on Data Pattern in DRAM」이 2009년 발간된 IEEE Electron Device Letters 제31권 제2호(pp. 168-170)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

이명진 저자의 논문 「A comparative study of the DRAM leakage mechanism for planar and recessed channel MOSFETs」이 2009년 발간된 Solid-State Electronics 제53권 제9호(pp. 998-1000)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

이명진 저자의 논문 「A Proposal on an Optimized Device Structure With Experimental Studies on Recent Devices for the DRAM Cell Transistor」이 2007년 발간된 IEEE Transactions on Electron Devices 제54권 제12호(pp. 3325-3335)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

진성훈 저자의 논문 「A New Direct Evaluation Method to Obtain the Data Retention Time Distribution of DRAM」이 2006년 발간된 IEEE Transactions on Electron Devices 제53권 제9호(pp. 2344-2350)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

이명진 저자의 논문 「Partial SOI type isolation for improvement of DRAM cell transistor characteristics」이 2005년 발간된 IEEE Electron Device Letters 제26권 제5호(pp. 332-334)에 게재됐다.
추천 그룹에 게시된 게시물입니다.

윤정현 저자의 논문 「고정 전하 트랩과 억셉터 트랩의 BCAT 누설전류 특성 분석」이 2025년 발간된 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 제29권 제1호(pp. 108-112)에 게재됐다.