2009 Solid-State Electronics 논문 게재
이명진 저자의 논문 「A comparative study of the DRAM leakage mechanism for planar and recessed channel MOSFETs」이 2009년 발간된 Solid-State Electronics 제53권 제9호(pp. 998-1000)에 게재됐다.
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이명진 저자의 논문 「A comparative study of the DRAM leakage mechanism for planar and recessed channel MOSFETs」이 2009년 발간된 Solid-State Electronics 제53권 제9호(pp. 998-1000)에 게재됐다.